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-Nova tecnologia de resfriamento
-Redução de 30% na resistência térmica
-Estreia na geração HBM5 e fácil integração
A SK hynix revelou o iHBM, um novo design de gerenciamento térmico voltado para as suas futuras gerações de memórias de alta largura de banda (High Bandwidth Memory). De acordo com a fabricante, a tecnologia consiste na integração de elementos de resfriamento embutidos diretamente dentro do encapsulamento da HBM.Produzidos a partir de um material à base de silício eletricamente não condutor, esses componentes adicionam uma rota extra de dissipação de calor no chip.
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O foco principal do iHBM é a camada física de comunicação chip a chip D2D PHY, que funciona como a interface de conexão entre a matriz base da HBM e o acelerador de IA.
A empresa destaca que essa é justamente uma das regiões que mais concentram calor. Enquanto o design atual de memórias HBM remove o calor de forma indireta através do chip central, o novo iHBM muda essa abordagem ao posicionar os elementos de resfriamento bem próximos à área D2D PHY.
Com essa mudança, a SK hynix afirma que conseguiu reduzir a resistência térmica em 30%, assegurando uma operação muito mais estável mesmo sob condições severas de alta temperatura e alta pressão.
A fabricante explicou que o iHBM adotará o seu processo avançado de encapsulamento a nível de bolacha baseado na tecnologia MR-MUF (Mass Reflow Molded Underfill). Essa compatibilidade permitirá que o novo design térmico seja implementado em estruturas de System in Package (SiP) já existentes, exigindo pouquíssimas alterações de layout por parte dos clientes.
A SK hynix planeja introduzir o iHBM em seus produtos de próxima geração, incluindo a futura memória HBM5. Até o momento, nenhuma parceria comercial específica com clientes ou datas de lançamento foram divulgadas.
