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– Samsung apresenta HBM4E com até 4 TB/s por camada
– Tecnologia mira IA e computação de alto desempenho
– Mais velocidade, densidade e eficiência energética
Nesta quarta-feira (17), a Samsung anunciou sua nova geração de memória de alta largura de banda, a HBM4E, trazendo avanços significativos para aplicações de inteligência artificial e computação de alto desempenho.
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A HBM4E pode atingir até 4 terabytes por segundo (TB/s) de largura de banda por camada, um salto expressivo em relação às gerações anteriores.
Esse tipo de memória é projetado para trabalhar em conjunto com GPUs e aceleradores, permitindo transferências de dados extremamente rápidas.
A diferença na prática
O ganho de desempenho é especialmente relevante para cargas de trabalho modernas, como treinamento de modelos de IA, simulações científicas e processamento de grandes volumes de dados. Nesses cenários, a velocidade de acesso à memória é tão importante quanto o poder de processamento.
Além da largura de banda, a Samsung também foca em eficiência energética e densidade. A nova tecnologia permite empilhar mais camadas de memória em um único pacote, aumentando a capacidade total sem elevar proporcionalmente o consumo de energia.
Os planos para o HBM4E
Outro destaque é a integração com arquiteturas avançadas de chips, que exigem comunicação cada vez mais rápida entre processador e memória. Com a HBM4E, a empresa busca atender à crescente demanda de gigantes da tecnologia que operam data centers e infraestruturas de IA.
A expectativa é que essa nova geração comece a aparecer em produtos comerciais nos próximos anos, principalmente em soluções voltadas ao mercado corporativo.