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SK Hynix inicia envio de amostras de memória HBM4E de 12 camadas com velocidade de 16 Gbps

Fabricante sul-coreana atinge marco inédito em densidade de componentes e promete mexer com o mercado

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-Salto de densidade e capacidade
-Desempenho e eficiência energética
-Dissipação térmica avançada para IA

A SK Hynix deu um passo importante na evolução das memórias de alta largura de banda ao iniciar o envio das primeiras amostras de sua nova geração de memórias HBM4E para clientes selecionados. Os novos componentes contam com um empilhamento de 12 camadas (12-high) e têm como foco principal aceleradores de Inteligência Artificial, data centers e sistemas de computação de alto desempenho.

Uma das principais novidades está na densidade do componente, enquanto as projeções anteriores da indústria previam que a capacidade de 48 GB só seria alcançada em estruturas de 16 camadas, a SK Hynix conseguiu implementar os 48 GB de capacidade em apenas 12 camadas. Isso representa um ganho significativo de densidade por encapsulamento.

Imagem: reprodução/SK Hynix

Em termos de desempenho e consumo, a fabricante confirmou os seguintes avanços

  • Velocidade: Alcança até 16 Gbps por pino.

  • Eficiência energética: Redução de mais de 20% no consumo de energia se comparada às gerações anteriores.

  • Latência: Otimização nos tempos de resposta graças a uma nova interface e mudanças estruturais no design.

Avanços em resfriamento com a tecnologia Advanced MR-MUF

Para garantir a estabilidade e a integridade estrutural do chip de 12 camadas, a empresa aplicou a sua tecnologia proprietária de encapsulamento Advanced MR-MUF (processo de preenchimento de material entre os chips empilhados).

De acordo com a empresa, essa atualização proporcionou uma redução de 17% na resistência térmica em relação ao padrão HBM4 convencional. Esse fator é crítico para aceleradores de IA, onde os módulos de memória ficam posicionados muito próximos a processadores de alta potência que geram grande quantidade de calor.

Corrida pelo mercado de IA

A SK Hynix ainda não estipulou uma data exata para o início da produção em massa da memória HBM4E, limitando-se a informar que o cronograma de entrega das amostras foi cumprido e que está trabalhando com seus parceiros para alinhar a fabricação comercial no momento ideal.

Com a Samsung também tendo anunciado o envio de suas próprias amostras de HBM4E de 12 camadas prometendo os mesmos 16 Gbps por pino, o anúncio da SK Hynix consolida que a disputa pelo padrão HBM4E deixou de ser apenas uma projeção em mapas de desenvolvimento e entrou oficialmente na fase de validação prática por parte dos clientes.

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