Conforme publicado pelo TechPowerUp nesta quarta-feira (26), a Samsung Electronics está avançando no desenvolvimento de memórias NAND com mais de 1.000 camadas, visando atender à demanda cada vez maior por armazenamento de alta capacidade e desempenho.
Desde a introdução da tecnologia V-NAND há uma década, a empresa tem aprimorado suas soluções, alcançando a oitava geração com 512 gigabits (Gb) e uma densidade de bits 42% superior em relação às gerações anteriores. A meta é superar a marca de 1.000 camadas até o final desta década.
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Evolução da tecnologia V-NAND
A tecnologia V-NAND da Samsung tem evoluído rapidamente, passando por oito gerações que aumentaram em dez vezes o número de camadas e em quinze vezes a densidade de bits.
A oitava geração, lançada recentemente, apresenta 512 Gb e a maior densidade de bits entre os produtos de memória TLC (Triple-Level Cell) de 512 Gb disponíveis no mercado.
A empresa informou ainda que planeja disponibilizar memórias V-NAND de 1 terabit (Tb) TLC até o final do ano, reforçando seu compromisso com soluções de armazenamento avançadas.
Desafios e inovações rumo às 1.000 camadas
O desenvolvimento de memórias NAND com 1.000 camadas apresenta desafios técnicos grandes, principalmente em relação à durabilidade e estabilidade dos chips.
Para superar essas barreiras, a Samsung está explorando o uso de materiais inovadores, como ferroelétricos de háfnio, que podem substituir os filmes finos de óxido atualmente utilizados na tecnologia 3D NAND. É uma abordagem interessante, que visa melhorar a durabilidade e a estabilidade dos chips, permitindo o empilhamento de mais de 1.000 camadas até 2030.
Impacto no mercado de armazenamento
A introdução de memórias NAND com 1.000 camadas permitirá a criação de unidades de estado sólido (SSDs) com capacidades inéditas, chegando a petabytes em um único dispositivo.
A evolução beneficiará data centers e serviços de computação em nuvem, que demandam soluções de armazenamento de alta densidade e desempenho. Empresas como Google, Microsoft e Meta poderão se beneficiar dessas inovações para otimizar suas infraestruturas de armazenamento.
Atualmente, a Samsung lidera o mercado global de memória flash NAND, com uma participação de 36,9% no segundo trimestre de 2024. No entanto, a concorrência é intensa, com empresas como Micron e SK Hynix desenvolvendo soluções com 232 e 238 camadas, respectivamente.