Durante o evento FMS 2026, a Samsung apresentou um roadmap focado no futuro do ecossistema de memórias, abrangendo tecnologias como HBM4E, HBM5, LPDDR5X-PIM e memórias NAND de 400 camadas. O grande destaque, no entanto, foi o anúncio de dois novos conceitos: o zHBM e o zNAND-O.
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A apresentação funcionou mais como uma proposta estratégica para clientes e investidores do que como um lançamento de produto, já que a empresa não definiu datas ou cronogramas comerciais para as novas tecnologias.
O que é o zHBM?
Atualmente, os módulos de memória HBM são posicionados ao lado dos aceleradores de Inteligência Artificial no encapsulamento (layout 2.5D). A proposta do zHBM é mudar isso radicalmente, empilhar a memória DRAM diretamente sobre o chip de IA por meio de empilhamento vertical 3D.
Ao reduzir a distância física entre o processador e a memória, a Samsung estima os seguintes ganhos teóricos:
Desempenho: Cerca de 8 vezes superior ao da futura geração HBM5.
Densidade: Mais de 10 vezes a densidade de memória atual.
Eficiência energética: Até 3 vezes mais eficiente.
Dissipação térmica: Redução superior a 50% na resistência térmica.
Vale salientar que todos esses números são baseados em simulações e modelos conceituais. Não há produto físico, cliente parceiro ou cronograma de fabricação confirmado até o momento.
HBM vs. HBF vs. zHBM: Como se comparam?
A proposta da Samsung surge logo após o anúncio da especificação High Bandwidth Flash (HBF), desenvolvida pela Sandisk e SK Hynix. Enquanto o HBF utiliza memória Flash NAND para oferecer alta capacidade e menor custo próximo ao chip de IA, o zHBM aposta na DRAM empilhada diretamente no topo do processador.
| Característica | HBM (Atual) | HBF (Sandisk / SK Hynix) | zHBM (Samsung) |
| Tipo de Memória | DRAM | NAND Flash | DRAM |
| Posicionamento | Ao lado do processador (2.5D) | Próximo ao processador | Sobre o processador (3D) |
| Foco Principal | Alta largura de banda e baixa latência | Maior capacidade com menor custo | Densidade extrema e conexões mais curtas |
| Status Atual | Em produção no mercado | Especificação aberta definida | Conceito em desenvolvimento |
NAND de 400 camadas (V10 BV-NAND)
Além do zHBM, a Samsung revelou a memória V10 BV-NAND, que conta com mais de 400 camadas.
A arquitetura Bonding V-NAND fabrica as células de memória e os circuitos periféricos em wafers separados antes de uni-los. Essa abordagem garante um ganho de densidade estimado em 58% na comparação com a geração V9 NAND, embora dados de desempenho e previsão de lançamento ainda não tenham sido divulgados.
